[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 98106643.7 申请日: 1998-03-14
公开(公告)号: CN1197293A 公开(公告)日: 1998-10-28
发明(设计)人: 高桥洁 申请(专利权)人: 日本电气株式会社
主分类号: H01L23/52 分类号: H01L23/52;H01L21/768;H01L21/3205
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 傅康,陈景峻
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体器件,其中可以增加布线的表面积,同时可以阻止相邻微导线之间的电容增加。该器件的制备可以通过在半导体衬底上按次序形成绝缘层和电镀提供层,在用第一光刻胶对电镀提供层进行掩模以后进行电镀以形成镀金,在用第二光刻胶进行腌模以后通过干式腐蚀腐蚀掉除了布线部分以外的镀金和电镀提供层,然后除去第一和第二光刻胶,以便形成微导线,其中侧部的相同方向为开口形。所述截面可以为U形,该U形可以朝向侧部来安置。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1、一种半导体器件,其包括带有有源元件的半导体衬底,位于其上的绝缘膜和微导线,所述微导线具有一定的截面形状,其侧部打开,用以提供带有凹形开口侧的微导线。
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