[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 98107024.8 | 申请日： | 1998-04-17 |
| 公开（公告）号： | CN1196582A | 公开（公告）日： | 1998-10-21 |
| 发明（设计）人： | 大西秀明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明之目的是把电压独立于源区地加到沟道区域(基体区域)上,而不增加布局面积。其构成是在SOI衬底的隐埋氧化膜2上面形成沟道区域5的P型半导体区域,并通过栅绝缘膜7形成栅电极8。形成漏区域3,使之达到隐埋氧化膜2,在源区4和隐埋氧化膜2之间存在着高浓度P型区域6。开达到漏区3和源区4的接触孔14,并开贯通源区域4达到高浓度区域6的体接触孔15。在接触孔14、15的内壁形成侧壁12,通过接触孔14、15形成与各个区域相连的金属布线11。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具有下述部分：栅极电极；在已经形成于栅极电极下边的栅极绝缘膜和绝缘性薄膜或者绝缘性衬底之间形成的第一导电类型的沟道区域；把上述沟道区域夹在中间形成的第一导电类型的源区和漏区；在上述源区和上述绝缘性薄膜或者绝缘性衬底之间形成的、与上述沟道区域接触的第一导电类型半导体区域；在上述源区或漏区上边形成的层间绝缘膜，用已形成于贯通上述层间绝缘膜的接触孔内的导电体把源区和漏区引出到上述层间绝缘膜上边，用已形成于贯通上述层间绝缘膜和上述源区的体接触孔内的导电体把上述第一类导电类型半导体区域引出到上述层间绝缘膜上边，其特征是：在上述接触孔和上述体接触孔的内壁上形成了由绝缘物构成的侧壁。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日本电气株式会社，未经日本电气株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98107024.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
