[发明专利]磁头及其制造方法无效
| 申请号： | 98107042.6 | 申请日： | 1998-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN1196549A | 公开（公告）日： | 1998-10-21 |
| 发明（设计）人： | 村冈俊作;伊藤升;高桥健;武田裕美 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11B5/127 | 分类号： | G11B5/127 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 通过在金属磁性膜1之间使用以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层7夹持Cr2O3层结构的磁隙材料,提供具有精度提高的磁隙6的MIG形磁头。若在非磁性氧化物层中使用硼硅酸盐玻璃等硅酸盐玻璃,则抑制磁隙材料的偏磨损。另外,至少在Tg－85℃≤T≤Tg－35℃的温度范围,在包含氧的气氛中进行接合磁心半体2的低熔点玻璃4(玻璃转变点Tg)的加热,能改善低熔点玻璃的流动性。 | ||
| 搜索关键词： | 磁头 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.MIG形磁头，它在磁隙中具有以SiO2作为主成分的非磁性氧化物层夹持Cr2O3层的磁隙材料。
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