[发明专利]非易失存储器的制造方法

摘要

非易失存储器的制造方法，包括制备第一导电型半导体衬底；以预定间隔一方向在半导体衬底中形成多条位线；以预定间隔在垂直位线方向形成多个场氧化膜；在半导体衬底整个表面上形成栅绝缘膜；与位线同方向，各位线间栅绝缘膜上形成具有预定间隔的浮置线；在包括浮置线的半导体衬底整个表面上形成介电膜；在介电膜上形成导电层和绝缘膜，进行选择性去除，在各场氧化膜间垂直各位线形成多条字线；在各字线的两侧形成绝缘膜侧壁垫；用字线和绝缘膜侧壁垫作掩膜，选择去除介电膜和浮置线，形成多个浮置栅极；在各浮置栅极两侧形成隧道氧化膜；在各位线间形成多条编程线，与隧道氧化膜接触。

主权项

1.一种非易失存储器的制造方法，包括以下步骤：制备第一导电类型的半导体衬底；以预定间隔于一个方向在半导体衬底中形成多条位线；以预定间隔在垂直于位线的方向形成多个场氧化膜；在半导体衬底的整个表面上形成栅绝缘膜；在与位线相同的方向，于各条位线之间的栅绝缘膜上形成多条具有预定间隔的浮置线；在包括浮置线的半导体衬底的整个表面上形成介电膜；接着在介电膜上形成导电层和绝缘膜，并对其进行选择性去除，以在各场氧化膜之间垂直于各条位线形成多条字线；在各条字线的两侧形成绝缘膜侧壁衬垫；采用字线和绝缘膜侧壁衬垫作为掩膜，选择地去除介电膜和浮置线，形成多个浮置栅极；在各个浮置栅极的两侧形成隧道氧化膜；和在各条位线之间形成多条编程线，与隧道氧化膜接触。