[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 98108918.6 | 申请日： | 1998-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN1200564A | 公开（公告）日： | 1998-12-02 |
| 发明（设计）人： | 小田典明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邹光新,王岳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种制造半导体器件的制造方法,所说器件包括层间绝缘膜,层间绝缘膜是形成在半导体衬底上的氧化膜或由BPSG构成的膜。其中,用腐蚀气体选择腐蚀形成在层间绝缘膜上的铝布线层。然后,将通过选择腐蚀所暴露的层间绝缘膜的表面进行表面改造。此后用CVD方法或其它方法形成氟化非晶碳层。根据改造表面的一个方法,在选择腐蚀铝布线层以后,将腐蚀气体改为含CF4的气体,以在层间绝缘膜的表面进行等离子体处理。根据改造表面的另一个方法,在形成氟化非晶碳之前,在层间绝缘膜的表面进行硅离子注入。由于这种改造,可以保持氟化非晶碳与层间绝缘膜之间的粘附性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：选择腐蚀铝布线；改造置于铝布线下面的氧化膜的表面；形成有机层间膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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