[发明专利]一种以纳米结构建立室温超导体的方法无效
| 申请号： | 98109047.8 | 申请日： | 1998-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN1201988A | 公开（公告）日： | 1998-12-16 |
| 发明（设计）人： | 李扬远 | 申请（专利权）人： | 李扬远 |
| 主分类号： | H01B12/02 | 分类号： | H01B12/02;H01B12/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 536000 广西*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 一种以纳米结构建立室温超导体的方法,提出了一种与众不同的以纳米结构解除热碰撞实现室温零电阻的技术方案。技术特征主要包括有直径为一个原子的金属纳米细线和用于隔离与成形的高强度绝缘体,纳米细线置于绝缘体之中,两者以纳米技术同时合成。除公知的用途外,本发明还具有可制作交流电机和通信电缆等新用途。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 建立 室温 超导体 方法 | ||
【主权项】：
1、一种以纳米结构建立室温超导体的方法，其技术特征是：包括有直径为一个原子的金属纳米细线和用于隔离与成形的高强度绝缘体，纳米细线置于绝缘体之中，两者以纳米技术同时合成。
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