[发明专利]等离子体处理的方法及装置无效
| 申请号： | 98109290.X | 申请日： | 1998-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1102801C | 公开（公告）日： | 2003-03-05 |
| 发明（设计）人： | 奥村智洋;中山一郎 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/306;H01L21/205;H01J37/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王忠忠,张志醒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 等离子体处理方法包括通过抽气真空室内部同时将气体输至真空室，控制真空室内部至规定压力；在真空室内部压力控制下，高频功率供给第一导体的一端，第一导体的另一端断开，成涡流型，第二导体的一端接地，另一端断开，成涡流型，从第一导体和第二导体辐射电磁波至真空室，在真空室产生等离子体，并处理位于真空室内电极上的基底。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.等离子体处理方法，包括：通过抽气真空室内部同时将气体输至真空室，控制真空室(1，101)内部至规定压力，其特征在于，在真空室内部的压力控制下，高频功率供给第一导体(6a，106a)的一端(11a，111a)，另一端断开，第一导体为涡流型，第二导体(6b，106b)的一端(11b，111b)接地，另一端断开，第二导体为涡流型，并从第一导体和第二导体辐射电磁波至真空室；和在真空室产生等离子体并处理位于真空室内电极(7，107)上的基底(8，108)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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