[发明专利]制造动态随机存取存储器结构的方法

摘要

在绝缘上硅上产生动态随机存取存储器的方法,以增加动态随机存取存储器单元信号的二维沟道电容结构及连接绝缘体基外延硅至半导体衬底的多晶硅存储节点结构消除浮置基体效应。二维沟道通过绝缘体基外延硅,下方的绝缘层至半导体衬底形成垂直沟道;用各向同性反应性蚀刻侧向去除暴露在垂直沟道中的绝缘层,以形成二维沟道侧向部分。覆盖在二维沟道边缘的多晶硅层在二维沟道电容结构中用作存储节点结构且连接绝缘体基外延硅至半导体衬底。

主权项

1．一种在半导体衬底上制造动态随机存取存储器的方法，包括下列步骤：在该半导体衬底中形成一绝缘层，并在该绝缘层上覆盖一绝缘体基外延硅层；在该绝缘体基外延硅层上形成一垫氧化硅层；在该垫氧化硅层、绝缘体基外延硅层、绝缘层以及该半导体衬底的上部分形成一垂直沟道；在暴露于该垂直沟道的绝缘层中形成一横向沟道；在该垂直沟道及横向沟道暴露的边缘淀积一第一多晶硅层；在该多晶硅层上形成一介电层；在该介电层上淀积第二多晶硅层并将该垂直沟道及横向沟道完全填满；在该垂直沟道及横向沟道中形成一电容结构，其中包括由该第一多晶硅层所形成的一存储节点结构；由该介电层所形成的一电容介电层；以及由该第二多晶硅层所形成的一单元平板结构，该存储节点结构也使该绝缘体基外延硅层连接于该半导体衬底；以及在该绝缘体基外延硅层中形成一转移栅晶体管。