[发明专利]制备半导体器件的方法

摘要

根据本发明，提供了一种方法，该方法可以确保形成DRAM中的半球形硅晶颗粒，其中DRAM具有堆栈电容器结构，而该结构中具有半球形硅晶颗粒，该方法可以将足量的杂质引入半球形硅晶颗粒，并可以防止耗尽引起的电容器退化。在本发明中，第一硅薄膜制作在具有MOS晶体管的半导体衬底上，并制成预定形状，然后在第一硅薄膜表面形成自生氧化层。顺次地，形成含有杂质的第二硅薄膜和不含杂质的第三硅薄膜，然后在不将其暴露在空气中的条件下，进行退火处理，形成半球形硅晶颗粒。此后，利用深腐蚀工艺将电极彼此分离，形成存储电极，最后形成介质薄膜和平板电极，制成电容器。

主权项

1.一种制备具有电容器的半导体器件的方法，电容器具有上层电极、介质薄膜和下层电极，其中下层电极通过以下步骤形成：形成第一硅薄膜的步骤，该硅薄膜包含杂质并通过真空化学汽相生长的方法以非晶态或多晶态的形式生长在半导体衬底的一个主表面上；将第一硅薄膜制成预定形状的步骤；在第一硅薄膜表面形成自生氧化层的步骤；形成第二硅薄膜的步骤，该硅薄膜含有杂质并通过真空化学汽相生长的方法以非晶态的形式生长；形成第三硅薄膜的步骤，该硅薄膜不含杂质并通过真空化学汽相生长的方法，在不将同一部分暴露在空气中的条件下，以非晶态的形式生长；在不将同一部分暴露在空气中的非氧化环境里对第三硅薄膜进行退火处理的步骤，使第三硅薄膜结晶，由此形成半球形硅晶颗粒；和利用各向异性的刻蚀技术进行深腐蚀的步骤。