[发明专利]微结构及其制造方法无效
| 申请号： | 98115040.3 | 申请日： | 1998-06-19 |
| 公开（公告）号： | CN1203148A | 公开（公告）日： | 1998-12-30 |
| 发明（设计）人： | 加藤隆典;张延平 | 申请（专利权）人： | 住友重机械工业株式会社 |
| 主分类号： | B29C59/16 | 分类号： | B29C59/16;H01L21/308 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 曹永来,章社杲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造一个微结构的方法,包括首先制备一个包括第一膜和紧贴在第一膜上的第二膜的叠层基底,第二膜是用可以被同步辐射光所蚀刻的材料制成。一个带有一种图形的掩模件紧贴在层叠结构的第二膜的表面上或者与第二膜表面保持一段距离,掩模件的图形是由同步辐射光不能透过的材料制成。然后使同步辐射光通过掩模件照射在第二膜的部分表面上以便将照射到的部分侵蚀掉并且将第一膜的部分表面区域暴露在一个蚀刻区域的底部上。 | ||
| 搜索关键词： | 微结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造微结构的方法，该方法包括下列步骤：制备一个包括一个第一膜和一个紧贴在第一膜上的第二膜的双层的叠层基底，该第二膜是用一种可以被同步辐射光所蚀刻的材料制成；将一个带有一种图形的掩模件紧紧贴靠在一个叠层结构的第二膜的表面上或者与第二膜表面保持一段距离，掩模件的图形是由同步辐射光基本上不能透过的材料制成的；和使同步辐射光通过掩模件照射在第二膜的部分表面区域上以便将同步辐射光所照射到的第二膜部分侵蚀掉并且将第一膜的部分表面区域暴露在一个蚀刻区域的底部上。
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