[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

用地线上的氮化硅层作腐蚀停止层,以形成沟,之后,形成高阻加载元件,使电阻长度延长一个沟的台阶长度,由此形成两层的高阻加载元件,增长了电阻长度。

主权项

1、一种有静态存贮器单元的半导体存贮器器件，它包括在半导体衬底上形成的两个MOS驱动晶体管，分别连接到所述两个MOS驱动晶体管的每一个晶体管的漏的两个MOS转移晶体管和两个高阻加载元件，供给电源电压的电源线，其中，所述器件包括其上至少形成场氧化层，栅电极和扩散层的衬底，形成在所述衬底上的第一层间绝缘层，形成在所述第一层间绝缘层上的已构图的接地线，其表面覆盖腐蚀停止层，形成在所述第一层间绝缘层上的第二层间绝缘层，以覆盖所述已构图的接地线和所述元件，其中，形成沟，穿过所述第二层间绝缘层延伸到所述腐蚀停止层，和设在所述第二层间绝缘层表面上和所述沟内表面上的高阻加载元件。