[发明专利]等离子体活化蒸发法沉积二氧化硅无效
| 申请号： | 98115119.1 | 申请日： | 1998-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN1210899A | 公开（公告）日： | 1999-03-17 |
| 发明（设计）人： | C·D·亚科范格洛 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | C23C14/10 | 分类号： | C23C14/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 魏金玺,罗才希 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用等离子体活化反应性沉积法在不同基片上沉积氧化硅抗刮伤的涂层。本方法包括将硅或硅的氧化物蒸发到氩气和一氧化二氮等离子体中,等离子体朝着待涂覆的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 活化 蒸发 沉积 二氧化硅 | ||
【主权项】：
1．在聚碳酸酯基片上沉积抗磨损涂层的方法，该方法是在引入等离子体区的一氧化二氮存在下进行二氧化硅的等离子体增强反应性蒸发。
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