[发明专利]镍阻挡端部及形成方法无效
| 申请号： | 98115190.6 | 申请日： | 1998-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1241007A | 公开（公告）日： | 2000-01-12 |
| 发明（设计）人： | 内尔·麦克劳林 | 申请（专利权）人： | 哈里公司 |
| 主分类号： | H01C7/112 | 分类号： | H01C7/112 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 美国佛*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为带有裸露主体表面及端部区的氧化锌半导体器件提供镍阻挡端部的方法,其中器件只在一个裸露端部区上与镍镀敷溶液可控反应并在此之后被提供有最终锡或锡－铅端部。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，半导体器件的主体具有裸露的氧化锌表面及镍端部，该方法包括的步骤有：提供具有与氧化锌层交替叠放的导电极板的半导体主体，提供用于所需镍镀敷方法的所选镍镀敷溶液，以及可控制地将半导体主体的端部与镍镀敷溶液接触，以便在半导体主体的端部形成所期望厚度的镍阻挡帽，而没有在整个半导体主体上形成镍阻挡帽，其中镍镀敷溶液的温度不加控制接近室温。
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