[发明专利]动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法

摘要

一种动态随机存取存储器电容器及其下电极的制造方法,在基底上先依序形成介电层、第一导电层与绝缘层,然后,于源极/漏极区绝缘层形成一开口图案。又在基底形成第二层导电层,并回蚀第二导电层与第一导电层形成间隙壁。后以间隙壁与第一导电层为蚀刻掩模,去除绝缘层与部分介电层形成开口;裸露源极/漏极区。后在基底上形成第三导电层,并限定第三与第一导电层,其后限定第三及第一导电层以及间隙壁形成电容器的下电极。

主权项

1.一种动态随机存取存储器电容器的制造方法，其特征在于，所述方法包括下列步骤：提供一基底，其上形成一场效应晶体管，所述场效应晶体管包括一源极区与一漏极区；在所述基底上形成一介电层；在所述介电层上形成一第一导电层；在所述第一导电层上形成一绝缘层；限定所述绝缘层，在所述漏极区的上方形成一开口，裸露出所述第一导电层；在所述绝缘层与裸露于所述开口中的所述第一导电层上形成一第二导电层；回蚀所述第二导电层与所述第一导电层，在所述绝缘层侧壁形成一间隙壁，裸露出所述介电层；以所述第一导电层与所述间隙壁为蚀刻掩模，去除所述绝缘层与部分所述介电层，以形成一自动对准接触窗开口，裸露出所述漏极区；在所述基底上形成一第三导电层，覆盖所述第一导电层与所述间隙壁，并填入于所述接触窗开口，与所述漏极电耦接；限定所述第三与所述第一导电层，以使所述第三与所述第一导电层以及所述间隙壁组成一下电极；在所述下电极表面形成一介电膜层；以及在所述介电膜层上形成一第四导电层。