[发明专利]半导体内阻挡层的制造方法和有这种阻挡层的半导体元件无效
| 申请号： | 98115533.2 | 申请日： | 1998-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN1208249A | 公开（公告）日： | 1999-02-17 |
| 发明（设计）人： | F·欣特迈尔;C·马祖雷－埃斯佩乔 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本方法提出,在半导体本体(10)的触极栓(16)上设置一个阻挡层(28;30a),为的是防止触极栓(16)的氧化。阻挡层(28;30a)根据本发明通过一个预结构化的、金属过渡材料(30)与至少一种反应组分(32)的化学反应来制造。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 阻挡 制造 方法 这种 元件 | ||
【主权项】：
1．设置在半导体本体内且至少靠近半导体本体的一个主表面的触极栓的阻挡层的生产方法，其特征在于，阻挡层(28；30a)通过一个预先结构化的金属过渡材料(30)与至少一种反应组分(32)的化学反应来制成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
