[发明专利]双冠状电容器的制造方法有效
| 申请号： | 98116074.3 | 申请日： | 1998-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN1231511A | 公开（公告）日： | 1999-10-13 |
| 发明（设计）人： | 张格滎;杜友伦;罗吉进 | 申请（专利权）人： | 世大积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种形成双冠状电容器的制造方法包括形成第一介电层;构图和蚀刻以形成接触窗开口;在第一介电层上形成第一导电层,并填入接触窗开口;在第一导电层上形成第二介电层;构图和蚀刻第二介电层和第一导电层,以在接触窗开口上形成中间结构;形成第二导电层;构图和蚀刻之,形成多个间隙壁,并移除位于第二介电层上方的至少部分第二导电层;移除第二介电层;沉积第三介电层;及在第三介电层上形成第三导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 冠状 电容器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种在一基底上形成双冠状电容器的制造方法，该方法包括下列步骤：在该基底上形成一第一介电层；构图和蚀刻该第一介电层，以形成一接触窗开口；在该第一介电层上形成一第一导电层，并填入该接触窗开口；在该第一导电层上形成一第二介电层；构图和蚀刻该第二介电层和该第一导电层，以在该接触窗开口上形成一中间结构，该中间结构有一位于该接触窗开口上的空的中间区域；在该中间结构上形成一第二导电层；构图和蚀刻该第二导电层，以在该中间结构的侧壁形成多个间隙壁，并移除位于该第二介电层上方的至少部分该第二导电层；移除该第二介电层；在该第一导电层和该第二导电层上方沉积一第三介电层；以及在该第三介电层上形成一第三导电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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