[发明专利]半导体器件及其生产方法无效
| 申请号： | 98117349.7 | 申请日： | 1998-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN1208967A | 公开（公告）日： | 1999-02-24 |
| 发明（设计）人： | 冈本哲昌 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/70 | 分类号： | H01L29/70;H01L21/328;H01L21/8222 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的生产方法,其中,去除基极区上的部分氧化膜以形成开口,并通过干蚀直接在其上沉积多晶硅膜,多晶硅膜被分割为包含与基极具有相同导电型杂质的区域及包含与基极具有相反导电型杂质的区域。通过热处理,杂质从多晶硅膜扩散进基极区,形成外部基极扩散及发射极扩散层。接着,多晶硅膜表面形成为多边膜,其将作为发射极电极及基极电极,实现精细基极及发射极面积。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，其特征在于包含：一半导体基片；一形成在所述基片表面上的基极区；一形成在基极区上并被分割为N型区P型区的多晶硅膜；通过从所述多晶硅膜向所述基极区扩散杂质而形成的外基极层和发射极扩散层；及形成在多晶硅层表面上从而构成基极电极及发射极电极的多边膜。
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