[发明专利]具有基准单元阵列块的铁电随机存取存储器器件无效
| 申请号： | 98117447.7 | 申请日： | 1998-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN1212434A | 公开（公告）日： | 1999-03-31 |
| 发明（设计）人： | 郑东镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 谢丽娜 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 揭示了一种铁电随机存取存储器器件,在一个基准单元阵列中采用了多个基准单元阵列块。如果从一个选中的基准单元阵列块产生的基准电压被向逻辑数据“1”或“0”偏置,则该选中的基准单元阵列块将被改变为一个未选阵列块,其具有的铁电电容器的尺寸大于或小于选中的基准单元阵列块。这使得改变后的基准单元阵列块在晶片电平下向基准位线提供所需的基准电压。其结果是,存储单元的检测裕度变大,使得铁电随机存取存储器器件的可靠性改善。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 基准 单元 阵列 随机存取存储器 器件 | ||
【主权项】：
1．一种非易失性半导体存储器器件，包括：一个具有多条位线的阵列，多条与所述位线交叉的字线，和多个分布在所述位线和字线交叉处的铁电存储单元；一个基准单元阵列，该阵列具有多条对应于所述位线的基准位线并且具有多个基准单元阵列块共同与基准位线耦合，每条基准位线具有一条基准字线，该基准单元阵列还具有多个分布在所述基准字线和基准位线交叉处的基准单元；和一个与所述位线和基准位线相连的读出放大器，用于通过使用来自基准阵列的基准电压检测和放大存储在一个被寻址的铁电存储器单元中的数据；其特征在于，在一个晶片测试模式下通过使用基准单元阵列块，读出放大器所使用的基准电压是可变的。
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