[发明专利]金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法无效
| 申请号： | 98117918.5 | 申请日： | 1998-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN1213708A | 公开（公告）日： | 1999-04-14 |
| 发明（设计）人： | 贞本满;柳川纪行;岩森晓;佐佐木贤树 | 申请（专利权）人： | 三井化学株式会社 |
| 主分类号： | C23F1/12 | 分类号： | C23F1/12 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 使用由从氟气和氟化物气组和氮气和氮化合物气组中选出的至少1种气体与碘化氢混合的气体所形成的等离子体,对没有被光致抗蚀膜覆盖的暴露金属氧化物进行干蚀刻。接着,将该蚀膜暴露于氧等离子体中后,再使用由氟气和氟化物气组和氮气和氮化合物气组中选出的至少1种气体与氧气混合气体的等离子体,蚀刻去除残留的抗蚀膜。至少,规定从氟气和氟化物气组,氮气和氮化合物气组中选出的气体和碘化氢或氧气的流量条件,必须满足特定的范围。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 光致抗蚀膜积层体 蚀刻 方法 | ||
【主权项】：
1．一种金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干刻蚀方法，其特征是将光致抗蚀膜作为掩蔽膜片，在0.1Pa-50Pa的压力范围内，以含有碘化氢气体等离子体，对金属氧化物进行干蚀刻后，再在0.1-1000Pa的压力范围内，以含氧气体等离子体进行去除光致抗蚀膜，以此进行金属氧化物的电路图形加工，在进行金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法中，使用含有从氟气和氟化物气组，和氮气和氮化物气组中选出的至少一种气体和碘化氢混合的含碘化氢气体，对金属氧化物进行干蚀刻。
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