[发明专利]酸性无显影气相光刻胶及其刻蚀氮化硅的工艺

摘要

本发明涉及一种酸性无显影气相光刻胶刻蚀氮化硅的方法，无显影气相光刻胶由成膜物质、增感剂、光敏产酸物、溶剂组成。各组分的配比为成膜物质增感剂光敏产酸物溶剂为（８—９）∶（０．５—１．０）∶（０．８—１．０）∶９０。用上述光刻胶刻蚀氮化硅的工艺流程为硅片上涂光刻胶，烘干，掩膜曝光，再用稀释氢氟酸气体腐蚀，洗去硅片表面的光刻胶，即得正性光刻图形。$＃!

主权项

1、一种酸性无显影气相光刻胶，其特征在于光刻胶的组成(重量百分比)为：成膜物质：8～9％增成剂：0.5～1.0％光敏产酸物：0.5～1.0％溶剂：90％上述的成膜物质为肉桂酸类树脂，增感剂为1-羟基环己基苯甲酮和5-硝基苊、5-硝基苊和N-苯基吩噻嗪以及1-羟基环己基苯甲酮和安息香二甲醚三种组合中的任何一种，光敏产酸物为二芳基碘翁盐或三芳基硫翁盐，溶剂为N，N-二甲基甲酰胺和乙酸乙二醇乙醚，将上述物质按比例混合，待聚合物完全溶解后，即为酸性无显影气相光刻胶。