[发明专利]具有以亚模块方式集成的冷却器的功率半导体模块无效
| 申请号： | 98118368.9 | 申请日： | 1998-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN1208960A | 公开（公告）日： | 1999-02-24 |
| 发明（设计）人： | P·埃特尔;A·斯图克;R·泽林格尔 | 申请（专利权）人： | ABB研究有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34;H01L23/46;H05K7/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,王忠忠 |
| 地址： | 瑞士*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一功率半导体模块,它由亚模块连同集成冷却器构成。亚模块各具有一衬底,在其衬底上至少焊接一半导体芯片,其衬底底面与冷却器7浇铸在一起。冷却器具有由AlSiC、CuSiC或AlSi制成的冷却体和/或以针、筋等形式由AlSiC,CuSiC,AlSi,Al或Cu制成的冷却结构。冷却结构也能与衬底直接浇铸在一起,本发明的功率半导体模块具有提高的可靠性和寿命,紧凑的结构和高功率密度。其模块化结构可很好地与其它元件例如电子控制线路,印制电路板和汇流排兼容地集成。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 模块 方式 集成 冷却器 功率 半导体 | ||
【主权项】：
1．功率半导体模块(1)具有许多亚模块(2)，每个亚模块(2)分别具有至少一片材料连接固定在衬底(6)的上侧(6a)的半导体芯片(3)，其中衬底(6)是电绝缘的、但具有良好的热传导，具有对半导体芯片(3)匹配的膨胀系数，其特征为：(a)亚模块(2)正好具有一衬底(6)，后者具有由良好导热材料制成的一冷却器(7)，以及(b)冷却器(7)与衬底(6)的底面(6b)浇铸在一起。
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