[发明专利]动态随机存取存储器中减少光学近距效应的位线图案有效
| 申请号： | 98118553.3 | 申请日： | 1998-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1118827C | 公开（公告）日： | 2003-08-20 |
| 发明（设计）人： | 周岳霖 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在半导体存储器制作工艺中减少光学近距效应的位线光掩模图案。此位线光掩模图案包括：多条位线，在位线上具有多个间隔相等的接触垫。这些位线彼此平行，形成栏状阵列，而且每间隔一条位线的两条位线上的接触垫彼此排列对齐。位线上接触垫具有矩形外观，但在接触垫矩形外观的四个直角转角，分别移除一较小的矩形部分，此外在接触垫平行于位线的两个侧边，也分别移除一较小的矩形部分。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 随机存取存储器 减少 光学 近距 效应 线图 | ||
【主权项】：
1.一种在半导体存储器元件制作工艺中使用的位线光掩摸图案，包括：多条位线；在每一位线上，包括多个接触垫，这些接触垫的间隔相等；这些位线互相平行排列，形成一栏状阵列；间隔每一位线的两条位线上的这些接触垫，在垂直于这些位线的方向上互相对齐；这些接触垫的形状为矩形；其中，这些接触垫多个直角转角上的矩形区域被去除；其中这些接触垫平行于这些位线的方向的多个侧边的矩形区域被去除；并且其中这些直角转角矩形区域的边长为这些接触垫边长的百分之十至百分之二十。
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