[发明专利]在集成电路上形成电可熔断熔丝的制造方法无效
| 申请号： | 98118680.7 | 申请日： | 1998-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN1212457A | 公开（公告）日： | 1999-03-31 |
| 发明（设计）人： | 彼得·韦甘德;德克·托本 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/82 | 分类号： | H01L21/82 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体衬底上制造电可熔断熔丝的方法,包括在半导体衬底上形成熔丝部分。熔丝部分构成在超过预定电流流过熔丝部分时能变为不导电。还包括在熔丝部分上淀积保形的第一介质材料层和在第一层上淀积第二介质材料层,以在熔丝部分上形成介质材料的凸出部分。还包括对凸出部分上进行化学机械抛光,以在凸出部分上形成穿过第二层的开口。还包括通过开口以各向同性方式腐蚀部分第一层,在熔丝部分形成微腔。还包括在第二层上淀积保形的第三介质材料层606,以封闭第二层中的开口。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 形成 熔断 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种在半导体衬底上制造电可熔断熔丝的方法，包括：在所说半导体衬底上形成熔丝部分，所说熔丝部分构形成在超过预定电流水平的电流经过所说熔丝部分时，该部分能转变为基本不导电状态；在所说熔丝部分上面淀积基本保形的第一介质材料层；在所说第一层上淀积第二介质材料层，所说第二层与所说第一层不同，由此在所说熔丝部分上面形成介质材料的凸出部分；对所说凸出部分上进行化学机械抛光，以在所说凸出部分上形成穿过所说第二层的开口；通过所说开口以基本各向同性的方式腐蚀部分所说第一层，在所说熔丝部分周围形成微腔，所说腐蚀实际对所说第二层和所说熔丝部分有选择性；在所说第二层上淀积基本保形的第三介质材料层，由此密封所说第二层中的所说开口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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