[发明专利]金属化系统有效
| 申请号： | 98119187.8 | 申请日： | 1998-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN1218989A | 公开（公告）日： | 1999-06-09 |
| 发明（设计）人： | 彼得·韦甘德;德克·托本 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/52 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 黄敏 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种有复合介质层的多层集成电路金属化系统,包括金刚石或蓝宝石层。在半导体衬底上配置多层构图的金属化层。复合介质层配置在一对金属化层间。复合介质层包括金刚石或蓝宝石层。金刚石或蓝宝石层配置在构图的金属化层之一表面上。导电通路穿过复合层,且其一端与金刚石或蓝宝石层接触。构图的金刚石或蓝宝石层,在第二金属化层淀积中构成掩模。下一层金属化层的引线将直接淀积到在金属刻蚀工艺中将用作刻蚀中止的金刚石或蓝宝石层上边。 | ||
| 搜索关键词： | 金属化 系统 | ||
【主权项】：
1、一种多层集成电路金属化系统，包括：在不同的层次上配置的金属引线；一复合介质层具有一第一介质层和一第二介质层，该第一介质层具有的热导率至少比该第二介质层的热导率大两个数量级；以及其中该不同的金属层次由该复合介质层隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
