[发明专利]一种半导体器件及其生产方法无效
| 申请号： | 98119315.3 | 申请日： | 1998-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1211068A | 公开（公告）日： | 1999-03-17 |
| 发明（设计）人： | 久宗义明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/311;H01L27/115 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件(如快速EEPROM)具有淀种于半导体衬底上的氧化层/氮化层/氧化层的夹层结构。用光刻技术和等离子体辅助蚀刻工艺蚀去有源区域上方的部分夹层结构。由于已蚀刻夹层结构的氮化层具有抗氧化性能,则可以防止氧自由基到达衬底。从而防止“鸟喙”现象的出现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1、一种由电绝缘层把相邻元件隔离开的半导体器件，其特征在于，所述绝缘层具有抗氧化性能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
