[发明专利]半导体器件的制造工艺无效
| 申请号： | 98119320.X | 申请日： | 1998-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN1100342C | 公开（公告）日： | 2003-01-29 |
| 发明（设计）人： | 林俊哉;浜田耕治;西尾直治;三好康介;斋藤修一 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 当制造半导体器件时，对半导体衬底进行高能离子注入。随后退火离子注入的半导体衬底，当通过以至少200℃/秒的直线上升速率从1000℃到1,200℃的温度加热衬底进行时，可以提供具有减小变化(σ/X)的较小漏电流的半导体器件。因此本发明提供一种半导体器件的制造工艺，当进行高能离子注入时，具有漏电流较小和漏电流变化减小的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
1.半导体器件的制造工艺，包括以下步骤：对半导体衬底进行高能离子注入；以及在等于或高于200℃/秒的直线上升速率下，将所得已离子注入的半导体衬底从1,015℃加热到1,200℃。在1,015℃到1,200℃的温度下对这样的加热的半导体衬底进行退火处理。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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