[发明专利]曝光图形掩模及其制造方法无效
| 申请号： | 98119343.9 | 申请日： | 1998-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN1211813A | 公开（公告）日： | 1999-03-24 |
| 发明（设计）人： | 松本明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种曝光图形掩模,包括一集成电路布线图形和一虚拟图形,所述集成电路布线图形由多个布线图形元素构成,所述虚拟图形由多个设置于所述布线图形元素末端附近的虚拟图形元素构成,该掩模可防止小尺寸布线图形元素曝光的失败。 | ||
| 搜索关键词： | 曝光 图形 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种曝光图形掩模，其特征在于包括一个由多个布线图形元素组成的集成电路布线图形和一个由提供于所述布线图形元素末端附近的多个虚拟图形元素组成的虚拟图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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