[发明专利]三维只读存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 98119572.5 | 申请日： | 1998-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN1099695C | 公开（公告）日： | 2003-01-22 |
| 发明（设计）人： | 张国飙 | 申请（专利权）人： | 张国飙 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 610051 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一个将存储元布置在三维空间中的只读存储器。这些存储元分布在多个存储层上。这些存储层相互重叠，一层叠在另一层上。在每个存储层上有多个选址线和存储元。这些存储元可以是掩模编程的或场编程的。由于存储元布置在三维空间中，存储密度和存储容量可极大提高。三维只读存储器的存取时间短，并且可用标准半导体生产流程制造。本发明可以广泛地应用在很多领域。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 只读存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维只读存储器，包括一含有晶体管的半导体衬底，其特征在于包括：至少两个叠置在所述衬底上的只读存储层，其中，每一只读存储层包括多个只读存储元和多个地址选择线；以及多个形成在所述只读存储层和半导体衬底之间、用于提供所述只读存储层和所述半导体衬底之间连接的层间连接通道口和/或接触通道孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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