[发明专利]加速度传感器与三轴加速度传感器无效

专利信息
申请号: 98119591.1 申请日: 1998-09-25
公开(公告)号: CN1218910A 公开(公告)日: 1999-06-09
发明(设计)人: 中沟佳幸;小林英树;端崎惠 申请(专利权)人: 北陆电气工业株式会社
主分类号: G01P15/125 分类号: G01P15/125
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 在重锤固定区域5A内连接线LX1和压电陶瓷基片5之间形成低电容率层8。在中间区域5B的外侧,连接线LX2、LY1、LZ4和输出电极OX与此基片5之间形成低电容率层9。低电容率层8与9是由介电常数充分小于此基片的介电常数的低电容率物质形成的。由于设置了低电容率层8与9,可减小布线图形和输出电极与相对电极图形间产生的静电电容,从而能减少聚积于此静电电容上的自发极化电荷量。由此可以制得能抑制因加速度探测电极至输出电极间的静电电容导致输出降低的加速度传感器。
搜索关键词: 加速度 传感器
【主权项】:
1.加速度传感器,具有:压电陶瓷基片;表面电极图形,它包括形成于上述压电陶瓷基片表面上的,输出对应于加速度的信号的加速度探测电极、将此加速度探测电极的输出输出到外部的输出电极、以及将上述两种电极电连接的布线图形;相对电极图形,它形成于上述压电陶瓷基片的背面上且至少是同上述加速度探测电极相对;重锤,它相对于上述压电陶瓷基片按固定状态设置,在前述形成有加速度探测电极的区域中产生相对于前述加速度的应力;低电容率层,它至少是设置在前述布线图形的全部或其主要部分与前述压电陶瓷基片之间,其中,所述低电容率层的介电常数充分地小于所述压电陶瓷基片的介电常数,且所述压电陶瓷基片的加速度探测电极和相对电极图形之间的部分实施有极化处理。
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