[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 98120025.7 | 申请日： | 1998-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN1139985C | 公开（公告）日： | 2004-02-25 |
| 发明（设计）人： | 知识茂雄 | 申请（专利权）人： | 恩益禧电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L29/41;H01L21/768;H01L21/283 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 穆德骏 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件和一种半导体器件的制造方法提供了一个自定位接触孔，其易于抑制一个经过一个对一中间布线层自匹配的自定位接触孔连接于一个下布线层的上布线层与一个中间布线层之间的绝缘特性的恶化。用一个氧化硅膜间隔层直接覆盖一个对一栅极自匹配的位接触孔的侧面，并且回流氧化硅膜和用一BPSG膜间隔层覆盖。利用这些过程，抑制了绝缘特性的恶化。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：一个形成在一半导体基片表面上的下布线层；一个覆盖所述半导体基片表面的绝缘膜；一个形成在所述绝缘膜表面上的中间布线层；一个覆盖所述中间布线层的层间绝缘膜；其特征在于还包括：一个形成在所述层间绝缘膜表面上的上布线层，所述上布线层穿透所述层间绝缘膜和所述绝缘膜到达所述下布线层，并且经过对所述中间布线层自匹配的一个自定位接触孔连接于所述下布线层，在所述自定位接触孔的侧面上，至少形成一个通过加热回流的掺硼磷硅玻璃膜或掺磷二氧化硅玻璃膜构成的绝缘膜间隔层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司，未经恩益禧电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98120025.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
