[发明专利]具有阈值补偿功能的动态型半导体存储器件无效
| 申请号： | 98120108.3 | 申请日： | 1998-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN1215211A | 公开（公告）日： | 1999-04-28 |
| 发明（设计）人： | 大月哲也;成竹功夫 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种动态型半导体存储器件,它包括一个第一分级补偿位线、一个第二分级补偿位线、一个第一读出放大器、至少一个第二读出放大器及一个电容器和一个转移栅。该器件采用包括一个晶体管和一个电容器的存储单元,而不象传统的存储单元那样采用两个晶体管和一个电容器,它可以在一个单个的存储单元中保存两位数据,有助于显著地减小芯片面积。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 阈值 补偿 功能 动态 半导体 存储 器件 | ||
【主权项】：
1、一种动态型半导体存储器件，它包括(a)一个第一分级补偿位线(SBL、/GBL)；(b)一个第二分级补偿位线(/SBL、GBL)；(c)一个电连接于所述第一位线(SBL、/GBL)的第一读出放大器(30、52)；和(d)至少一个电连接于所述第一位线(SBL、/GBL)和所述第二位线(SBL、/GBL)的第二读出放大器(5、41、42、51)，其特征在于，它又含有(e)位于用于每个第二读出放大器(5、41、42、51)的所述第一位线(SBL、/GBL)和所述第二位线(/SBL、GBL)之间的一个电容器(12、13)；和(f)在所述第一位线和所述第二位线(SBL、/GBL；/SBL、GBL)之间与所述电容器(12、13)串接的一个转移栅。
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