[发明专利]适于高精度平面化的化学机械抛光方法有效
| 申请号： | 98120209.8 | 申请日： | 1998-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1073909C | 公开（公告）日： | 2001-10-31 |
| 发明（设计）人： | 久保亨 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | B24B29/00 | 分类号： | B24B29/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 刘晓峰 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种在绝缘层的槽内形成互连层的方法。该方法包含步骤有在绝缘层的上部分形成槽；在绝缘层的表面上以及槽内沉积一个导电层；且使导电层经受化学机械抛光以对导电层进行抛光，以便只在槽内存留导电层，从而在槽内形成互连，其中通过使用含有聚氨基甲酸乙酯泡沫的具有一个抛光垫板表面的抛光垫板完成化学机械抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 适于 高精度 平面化 化学 机械抛光 方法 | ||
【主权项】：
1、一种用于抛光第一表面包括至少一个导电材料区域和至少一个绝缘材料区域的化学机械抛光方法，其特征在于该抛光方法是用具有聚氨基甲酸酯制成的抛光垫板表面的抛光垫板进行的并且所述第一表面触压到聚氨基甲酸酯制成的抛光垫板表面上的向下压力是设定在不大于420gwt/cm2。
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