[发明专利]用铜布线膜生产半导体器件的方法无效
| 申请号： | 98120479.1 | 申请日： | 1998-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1216398A | 公开（公告）日： | 1999-05-12 |
| 发明（设计）人： | 大西秀明 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 卢纪 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一种生产半导体器件的方法中,用镶嵌法在夹层绝缘膜上形成一层铜布线膜。在铜布线膜和夹层绝缘膜上形成一层保护性绝缘膜。然后在保护性绝缘膜中形成窗孔。接着在保护性绝缘膜上淀积一层含Al薄膜填充窗孔。在此情况下,可将含Al膜加工成图形。或对含Al膜进行化学机械抛光将其嵌入窗孔内。 | ||
| 搜索关键词： | 布线 生产 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的生产方法，其特征在于，它包括的步骤有：用一种镶嵌法在一层夹层绝缘膜中形成一层铜布线膜；在所述铜布线膜和所述夹层绝缘膜上形成一层保护性绝缘膜；在所述保护性绝缘膜中形成一窗孔；以及在所述保护性绝缘膜上淀积一层含Al的薄膜填充所述的窗口。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
