[发明专利]用于在抛磨后提供改进的平面表面的方法有效
| 申请号： | 98120725.1 | 申请日： | 1998-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1221975A | 公开（公告）日： | 1999-07-07 |
| 发明（设计）人： | 卡伊·赫克尔斯;马塞厄斯·伊尔克 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;H01L21/304 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开一种器件的制造工艺,能减小由抛磨引起的凹陷。凹陷减小是由于部分覆盖复杂表面形貌的第一层与覆盖表面形貌的第二层造成的。第二层比第一层更耐抛磨以致在复杂形貌的宽空隙中减小凹陷。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 抛磨后 提供 改进 平面 表面 方法 | ||
【主权项】：
1．一种用于在抛磨后提供改进的平面的表面的方法，包括：提供具有复杂形貌的基片，其中此形貌包括由窄的空隙与宽的空隙所隔开的图形；在基片上方形成第一层，第一层充分地填充窄的空隙，而不充分地填充宽的空隙；在基片上方形成第二层，第二层充分填充宽的空隙，并在抛磨后与图形的顶部提供平面的表面，第二层比第一层更耐抛磨；抛磨基片表面以与图形顶部形成平面的表面，其中第二层减小了在宽的空隙中的碟化凹陷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
