[发明专利]平坦的金属层间介电层或内层介电层的制造方法无效
| 申请号： | 98121448.7 | 申请日： | 1998-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN1248059A | 公开（公告）日： | 2000-03-22 |
| 发明（设计）人： | 林庆福 | 申请（专利权）人： | 世大积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/31 | 分类号： | H01L21/31;H01L21/768 |
| 代理公司： | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种在一基底上的一下层金属内连线结构上方形成金属层间介电层或内层介电层的方法包括在该基底上形成一金属层;在金属层上形成一抗反射涂层;在抗反射涂层上形成一硬掩模;对金属层、抗反射涂层以及硬掩模构图,以形成该金属内连线结构;在该金属内连线结构上方形成一第一介电层在该第一介电层上进行一化学机械研磨步骤,直到裸露出该硬掩模;以及在该第一介电层以及该硬掩模上形成一第二介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 平坦 金属 层间介电层 内层 介电层 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在一基底上的一下层金属内连线结构上方形成金属层间介电层或内层介电层的方法，其包括：在该基底上形成一金属层；在该金属层上形成一抗反射涂层；在该抗反射涂层上形成一硬掩模；对该金属层、该抗反射涂层以及该硬掩模构图，以形成该金属内连线结构；在该金属内连线结构上方形成一第一介电层；在该第一介电层上进行一化学机械研磨步骤，直到裸露出该硬掩模；以及在该第一介电层以及该硬掩模上形成一第二介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
