[发明专利]测量杂质浓度的方法及存储杂质浓度测量程序的记录介质无效
| 申请号： | 98124931.0 | 申请日： | 1998-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN1223467A | 公开（公告）日： | 1999-07-21 |
| 发明（设计）人： | 庄俊之 | 申请（专利权）人： | 日本电气株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G06F17/00 |
| 代理公司： | 中科专利代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体基片的相同位置处进行脉冲CV特性的测量和SIMS测量。对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正,使得从SIMS分布图得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致;在引入多种杂质的情况下,进行脉冲CV测量和SIMS测量,根据每次引入杂质时的模拟分析,估算杂质浓度分布和载流子浓度分布。当引入的杂质浓度较高时,引入其导电型与前面杂质导电型相反的杂质。 | ||
| 搜索关键词： | 测量 杂质 浓度 方法 存储 程序 记录 介质 | ||
【主权项】：
1．一种测量杂质浓度的方法，包括如下步骤：向半导体基片中引入一种杂质；活化该杂质；测量该半导体基片的脉冲CV特性；根据此脉冲CV特性计算所述半导体基片沿深度方向的载流子浓度分布；在测量所述脉冲CV特性的相同位置处进行该半导体基片的SIMS测量，以计算所述杂质的SIMS分布；在确保所述载流子浓度精确的一深度范围内，对SIMS分布图用最小二乘方法进行校正，使得从所述SIMS分布图中得到的一剂量与载流子浓度分布中得到的一剂量相一致；以及将该半导体基片用作标准样品进行其它样品的SIMS测量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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