[发明专利]使用籽晶层形成PZT薄膜的方法无效
| 申请号： | 98126519.7 | 申请日： | 1998-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN1224073A | 公开（公告）日： | 1999-07-28 |
| 发明（设计）人： | 金大植 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C16/40;H01G4/10 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种使用籽晶层形成PZT(锆钛酸铅Pb(ZrxTi1－x)O3)薄膜的方法。在形成PZT薄膜的方法中,PZT在通过喷射入过量Pb而形成的PbO籽晶层或PZT籽晶层上生长。该钙钛矿相的PbO籽晶层或PZT籽晶层便于钙钛矿PZT成核,因此生长出细小和均匀的由钙钛矿相组成的PZT晶粒。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 籽晶 形成 pzt 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种使用籽晶层形成PZT薄膜的方法，包括下列步骤：在衬底上形成电极；通过向存在氧源的室中喷射Pb前体而在该电极上形成PbO籽晶层；以及在该PbO籽晶层上形成PZT薄膜。
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