[实用新型]外触发出光延时稳定的固体激光器的调Q电源

摘要

本实用新型公开了一种外触发出光延时稳定的固体激光器的调Q电源的电路变压器的原边和二极管并联后与垂直沟道金属—氧化物—半导体场效应晶体管(VMOS)串联,变压器原边一端、二极管正端和(VMOS)漏极相连,变压器原边另一端、二极管负端和电容的一端相连后,经限流电阻接直流稳压电源的正端,(VMOS)源极和电容的另一端相连后接地,并和直流稳压电源地端相连;变压器副边接闸流管、电容、电阻及调Q晶体。本实用新型可用于国产固体激光器的外触发出光延时稳定的调Q电源,具有极佳的实用价值和应用前景。

主权项

1．一种外触发出光延时稳定的固体激光器的调Q电源，是由变压器(T)副边的调Q晶体(Q)与电容器(C2)并联，再和电容(C3)串联后，与闸流管的(A)、(K)端并联，其中(A)端和调Q晶体(Q)与电容(C2)的连接点相连；电容(C3)的另一端和闸流管的(K)端相连，变压器(T)的副边加在闸流管的(G)端和(K)端之间，直流稳压电源(V2)通过限流电阻(R2)加在闸流管(A)、(K)端之间，(A)端接高电位；电容(C3)上的电压是直流稳压电源(V2)通过电阻(R4)、(R5)分压后，由限流电阻(R3)提供；其特征是，变压器(T)的原边和续流二极管(D)并联后，与垂直沟道金属——氧化物——半导体场效应晶体管(VMOS)的漏极——源极串联，垂直沟道金属——氧化物——半导体场效应晶体管(VMOS)的漏极和变压器(T)的原边一端、二极管(D)正端连接点相连，变压器(T)的原边的另一端、二极管(D)负端和电容(C1)的一端相连后，通过限流电阻(R1)接直流稳压电源(V1)的正端；垂直沟道金属——氧化物——半导体场效应晶体管(VMOS)的源极和电容(C1)的另一端相连后接地，和直流稳压电源(V1)的接地端相连。