[实用新型]射频磁控溅射对靶装置无效
| 申请号： | 98238805.5 | 申请日： | 1998-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN2335977Y | 公开（公告）日： | 1999-09-01 |
| 发明（设计）人： | 黄文符;张振厚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院沈阳科学仪器研制中心 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人： | 朱光林 |
| 地址： | 110003 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本装置属于一种镀膜装置，其结构是该镀膜装置为对称结构，上下两靶结构相同，每个靶的结构是外面为屏蔽层，中心为冷却水管，水管外为磁屏蔽层，磁屏蔽层外为靶体，靶体下面相对装有磁块，屏蔽层相对处形成开口，对靶中间的金属材料进行镀膜。优点结构简单，因对靶对结构形式，溅射速率快，镀膜均匀质量好，适合对各种金属材料或非金属材料上的镀膜使用。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 磁控溅射 装置 | ||
【主权项】：
1．一种射频磁控溅射对靶装置，其特征是该对靶装置为对称结构，上下两靶结构相同，每个靶的结构是外面为屏蔽层(2)，屏蔽层(2)里面为靶体(1)，靶体(1)的里面为磁屏蔽层(6)，靶中心为冷却水管(5)，两靶相对一端装有磁块(3)，磁块(3)之间分别放有靶材(4)，两靶相对之间的屏蔽层中间为开口结构(7)。
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