[发明专利]用于半导体制造的石英玻璃构件有效
| 申请号： | 98800389.9 | 申请日： | 1998-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN1150346C | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | D·赫尔曼;G·勒布伦;J·贝克尔 | 申请（专利权）人： | 赫罗伊斯石英玻璃有限公司;赫罗伊斯石英有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/56 | 分类号： | C23C14/56;C23C16/44;C03C15/00;C03C17/22 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华;温宏艳 |
| 地址： | 联邦德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体制造的已知的石英玻璃构件，它具有粗糙的表面，该表面由不规则的隆凸的结构单元组成，并在第一个较高的平面与第二个较低的平面之间延伸，而在第一个平面的许多结构单元主要呈现平的盖面形状，其全部边缘均以呈多角形小平面的大部分是平的侧壁包围，并分布在第一平面与第二平面之间。这种石英玻璃构件特别适合于CVD-层的粘结，其使用寿命是比较长的。按照本发明，其平均表面粗糙深度Ra为0.1μm-10μm，结构单元在第一平面上投影大小的平均值为30μm-180μm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 石英玻璃 构件 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造半导体的石英玻璃构件，它具有粗糙的表面，该表面由不规则的隆凸的结构单元(1)组成，并在第一个较高的平面(2)与第二个较低的平面(3)之间延伸，而在第一个平面(2)上的许多结构单元主要呈现平的盖面形状，其全部边缘均以呈多角形小平面的大部分是平的侧壁包围，并分布在第一平面(2)与第二平面(3)之间，其特征在于，表面的平均粗糙深度Ra为0.1μm-10μm，结构单元(1)在第一平面(2)上的投影大小为30μm-180μm，侧壁(5)中至少一部分成台阶状，相邻的结构单元(1)之间形成沟槽(8)，其宽度至少为1μm。
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