[发明专利]单晶SiC及其制造方法无效
| 申请号： | 98800898.X | 申请日： | 1998-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1231003A | 公开（公告）日： | 1999-10-06 |
| 发明（设计）人： | 谷野吉弥 | 申请（专利权）人： | 日本皮拉工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是在α－SiC单晶基体材料(1)的表面上通过研磨面以紧密接触的状态重叠、或利用热CVD法层状成膜的方式层叠β－SiC多晶片(2)形成复合体(M),然后对所形成的复合体(M)在1850～2400℃的温度范围内进行热处理,使β－SiC多晶片(2)的多晶体相变成为单晶体,生成与α－SiC单晶基体材料(1)的晶轴同方位取向的单晶。该方法能容易且高效地制造没有微泡缺陷、晶格缺陷、也不会由于杂质进入而形成晶界等的高质量的大型单晶SiC。 | ||
| 搜索关键词： | sic 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种单晶SiC，其特征在于：该单晶SiC是通过平整化的表面将SiC单晶基体材料和由Si原子及C原子构成的多晶片层叠起来构成复合体，并对该复合体进行热处理，使上述多晶片的多晶体发生相变而长成的。
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