[发明专利]制备薄硅膜的方法无效
| 申请号： | 98801852.7 | 申请日： | 1998-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1243602A | 公开（公告）日： | 2000-02-02 |
| 发明（设计）人： | K·J·韦伯;A·W·布拉科斯 | 申请（专利权）人： | 博拉尔能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 卢新华,罗才希 |
| 地址： | 澳大利亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及制备单晶硅薄膜(5)的方法。该方法包括形成单晶衬底(1);在衬底(1)中、衬底(1)上或衬底(1)附近形成与衬底有相同晶体取向的单晶硅薄膜(5);提供多条穿过薄膜(5)或衬底(1)的相互间隔的蚀刻剂通道区(6)。通过蚀刻剂通道区(6)的同时蚀刻完成薄膜(5)的剥离。所需蚀刻的程度及进行剥离所需的蚀刻剂以不引起单晶膜(5)的显著退化为度。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 薄硅膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备薄单晶膜的方法它包括下列步骤：形成单晶衬底；在衬底上、衬底内或邻近衬底处淀积或形成薄单晶硅膜，其晶向与衬底相同，并通过单晶膜或衬底提供大量的分散的蚀刻剂通道区；和通过蚀刻剂通道区同时进行蚀刻而将单晶膜剥离，所需蚀刻的程度及进行剥离所需的蚀刻剂以不引起单晶膜显著退化为度。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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