[发明专利]钝化金属化层的方法无效
| 申请号： | 98802009.2 | 申请日： | 1998-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN1247486A | 公开（公告）日： | 2000-03-15 |
| 发明（设计）人： | 桑德拉·W·格雷汉姆 | 申请（专利权）人： | 塞米特公司 |
| 主分类号： | B08B6/00 | 分类号： | B08B6/00;B44C1/22;C09K13/08 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 程伟,余刚 |
| 地址： | 美国蒙*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 经过蚀刻金属化层处理的半导体晶片包括蚀刻后的残留物,这些残留物将用有大量的CO2溶解在其中的含氟溶液予以清除。另外,采用有大量的O3溶解在其中的溶剂将曾经用来清除残留物的含氟溶液(或其它类似的溶液)从晶片上冲洗掉。在每种情况下金属化层的凹坑都会减少。 | ||
| 搜索关键词： | 钝化 金属化 方法 | ||
【主权项】：
1.一种从金属化的半导体晶片上除去残留物的溶液，该溶液包括NH4F浓度至少为2×10-1M或更高的NH4F水溶液，这种NH4F有相当高浓度的CO2溶解在其中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于塞米特公司，未经塞米特公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/98802009.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
