[发明专利]半导体激光器元件

摘要

半导体激光器元件,该元件具有适于产生电磁辐射的、SCH构造的半导体本体,在该本体中,在第一导电类型的第一外覆盖层和第一导电类型的第二外覆盖层之间设置一量子阱结构的有源层序列。在有源层序列和第二外覆盖层之间设置一个第二导电类型的第一简并过渡层和一个第一导电类型的第二简并过渡层。

主权项

1.半导体激光器元件，该元件具有适于产生电磁辐射的、具有异质结构构造的半导体本体(13)，在该半导体本体中，在半导体衬底(8)上设置一个安排在第一导电类型的第一外覆盖层(7)和第一导电类型的第二外覆盖层(1)之间的、具有量子阱结构(5)的有源层序列，在其内部，当电流通过半导体本体(13)时，产生电磁辐射，其特征在于，作为载流子注入器，通过该注入器在内部电场内载流子被加速并且从而被高速注入有源区，在有源层序列和第二外覆盖层(1)之间如此设置一个与第一导电类型相反的第二导电类型的第一高掺杂简并过渡层(3)，和设置一个第一导电类型的第二高掺杂简并过渡层(2)，即使得第二高掺杂简并过渡层(2)安排在第一高掺杂简并过渡层(3)和第二外覆盖层(1)之间。