[发明专利]钽酸锶铋铌铁电薄膜无效
| 申请号： | 98803005.5 | 申请日： | 1998-02-04 |
| 公开（公告）号： | CN1249849A | 公开（公告）日： | 2000-04-05 |
| 发明（设计）人： | 约瑟夫·D·库奇阿罗;那拉扬·索拉亚潘;卡洛斯·A·帕斯德阿劳约;拉里·D·麦克米伦 | 申请（专利权）人： | 赛姆特里克斯公司 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/3205 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 韩宏 |
| 地址： | 美国科*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于集成存储器电路(300,400),如FERAMS(300)等的薄膜铁电材料(500),包括具有经验化学式SrBi2+E(NbXTa2－x)O9+3E/2的钽酸锶铋铌,其中E是代表范围从零至2的铋的超出剂量的数;及X是代表范围从0.01到0.9的铌剂量的数。操作该铁电存储器单元(400)的方法包括提供具有上述化学式的处于第一极化状态中的这种材料,使所述第一极化状态的薄膜铁电材料经受多个单向电压脉冲;及然后使所述铁电材料转换到所述多个单向电压脉冲基本上不产生痕迹的第二极化状态。 | ||
| 搜索关键词： | 钽酸锶铋铌铁电 薄膜 | ||
【主权项】：
1.一种具有薄膜铁电材料(500)的电子器件(300，400)，所述薄膜铁电材料具有小于约6000的厚度，所述电子器件的特征在于，所述薄膜铁电材料包括：具有经验化学式SrBi2+E(NbXTa2-X)O9+3E/2的钽酸锶铋铌，式中E是代表范围从零至2的铋的超出剂量的数；及X是代表范围从0.01到0.9的铌剂量的数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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