[发明专利]用于超低电容互连的有空气隙的半导体装置的制造无效
| 申请号： | 98803010.1 | 申请日： | 1998-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN1249851A | 公开（公告）日： | 2000-04-05 |
| 发明（设计）人： | P·A·科尔;赵强;S·A·B·艾伦 | 申请（专利权）人： | B·F·谷德里奇公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 任宗华 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在固体结构特别是半导体结构内形成空气隙(26)以降低电元件如金属线间电容耦合的方法,其中用降冰片烯型聚合物作为牺牲材料20占据半导体结构中的封闭内体积。使牺牲材料(20)分解成一或多个气态分解产物,通过外涂层(24)(优选通过扩散)除去分解产物。牺牲材料的分解在预先由降冰片烯型聚合物占据的封闭内体积处形成空气隙(26)。空气隙可分布在导线之间使其间的电容耦合最小。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电容 互连 空气 半导体 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.在半导体结构中形成空隙的方法，包括以下步骤：用牺牲材料占据半导体结构中封闭内体积；使所述牺牲材料分解成一或多种气态分解产物；和通过与所述内体积邻接的至少一个固体层除去所述一或多种气态分解产物至少之一；其中所述牺牲材料分解在预先被所述牺牲材料占据的封闭内体积处留下空气隙，和所述牺牲材料包括降冰片烯型聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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