[发明专利]半导体装置的布线形成方法及半导体装置

摘要

本发明目的在于完全且均匀地填充深宽比大的槽或孔部分。为此,在硅衬底(1)上形成的氧化硅膜(2)上形成连接孔(3)及布线用槽(4)后,用CVD法在半导体衬底全部表面上形成TiN膜(5),用溅射法等在除连接孔(3)及布线用槽(4)以外的区域上形成钛膜(5)。然后,将连接孔(3)及布线用槽浸渍在电镀液中,用对钢的析出过电压比TiN的析出过电压高、比Ti的析出过电压低的析出过电压进行电镀处理。由此,能只在TiN膜(5)露出的部分、即只在连接孔(3)及布线用槽(4)的部分进行电镀,所以铜表现为被嵌入连接孔(3)及布线用槽(4)中。当用化学机械研磨法对它进行研磨,形成布线时,能获得均匀且嵌入性好的良好的铜布线。

主权项

1.一种半导体装置的布线形成方法，其特征在于包括下列步骤：在半导体衬底上形成的绝缘膜上，形成凹状的布线用路径；在至少包括上述布线用路径的凹部内表面的上述绝缘膜表面上，形成第一导电体层，该层具有使电镀液中的铜系金属材料以规定的速度析出所必要的析出过电压即第一析出过电压；在上述绝缘膜表面上。以覆盖除了上述布线用路径的凹部内表面以外的区域的方式形成第二导电体层，该层具有比上述第一析出过电压高的第二析出过电压；然后，至少将上述布线用路径的凹部内表面浸渍在上述电镀液中，用比上述第一析出过电压高、且比上述第二析出过电压低的析出过电压，进行电镀处理，使上述金属材料析出，并对析出的上述金属材料进行研磨，形成布线。