[发明专利]减小编程易变性的闪速存储器VDS补偿技术无效
| 申请号： | 98803865.X | 申请日： | 1998-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN1251683A | 公开（公告）日： | 2000-04-26 |
| 发明（设计）人： | S·N·基尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | G11C11/34 | 分类号： | G11C11/34 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一个非易失存储设备(300)。对于一个实施例,非易失存储设备(300)包括一根位线、一根源极线和一个具有连接到位线的一个漏极、连接到源极线的一个源极、一个控制栅极和一个浮动栅极的非易失存储单元。非易失存储设备(300)也包括一个源极电压发生器电路(312),其连接到源极线并在编程非易失存储单元时产生一个源极线电压。源极电压发生器电路(312)根据在存储器阵列(322)中非易失存储单元的位置改变源极线电压。非易失存储设备(300)也可以包括一个漏极电压发生器电路(308),其连接到位线并在编程非易失存储单元时产生一个位线电压。漏极电压发生器电路(308)根据在存储器阵列(322)中非易失存储单元的位置改变位线电压。 | ||
| 搜索关键词： | 减小 编程 易变性 存储器 vds 补偿 技术 | ||
【主权项】：
1.一个非易失存储设备包括：一个存储器阵列，其包括一根位线、一根源极线和一个具有连接到位线的一个漏极、连接到源极线的一个源极、一个控制栅极和一个浮动栅极的非易失存储单元；和一个源极电压发生器电路，其连接到源极线并在编程非易失存储单元时产生一个源极线电压，其中源极电压发生器电路根据在存储器阵列中非易失存储单元的位置改变源极线电压。
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