[发明专利]用于加工检验半导体芯片用的具有多触点接头的卡的方法无效
申请号: | 98803898.6 | 申请日: | 1998-04-09 |
公开(公告)号: | CN1252129A | 公开(公告)日: | 2000-05-03 |
发明(设计)人: | 安德烈·贝尔蒙特;文森特·雷诺;威廉·达尼奥 | 申请(专利权)人: | 梅塞特罗尼克公司 |
主分类号: | G01R1/067 | 分类号: | G01R1/067;G01R1/073 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 法国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于制造具有多接头的卡的方法,卡是特别设计来在封装前检验半导体芯片或集成电路的,它包括两个相对表面上的氧化硅基底(10),一个表面提供有连接到接头(26)形式的触点的导电条。薄金属层(22)通过真空中的蒸汽沉积或阴极溅射沉积于单片基底(10)的一个绝缘表面上,导电条是通过利用感光树脂的UV光刻操作得到的,接着根据接头(26)的位置和形状蚀刻薄金属层(22)。接着进行另一UV光刻操作,在于在薄蚀刻层上沉积感光树脂厚层(24),树脂中显现出接头的图(25)。最终通过含有金属离子的槽用电铸得到接头(26)使电铸的衬垫对应于图(25)的形状。 | ||
搜索关键词: | 用于 加工 检验 半导体 芯片 具有 触点 接头 方法 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造具有多接头的卡的方法,该卡用于在封装前检验一个或多个半导体芯片或集成电路,卡包括基底(10),提供有以接头(26)的形式连接到触点的导电条的一个表面,所述方法的特征是包括以下步骤:通过在真空中的气相沉积或阴极溅射在单片基底(10)的一个绝缘表面上沉积以薄金属层(22),在进行薄金属层(22)的沉积之前进行硅基底(10)的各向异性蚀刻,所述蚀刻是非紧急的,形成了一个电触点连接点,使用感光树脂,通过UV光刻操作的方法得到导电条,接着根据接头(26)的位置和形状蚀刻薄金属层(22),进行另一次UV光刻操作,包括在薄蚀刻的层上沉积感光树脂厚层(24),然后树脂显现出接头(26)的图(25),通过金属离子槽,用电铸产生接头(26),得到对应于图(25)形状的电铸衬垫,剩余的树脂层(24)最终溶解在溶剂槽中,在单片基底(10)上得到最终完成的接头(26)。
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