[发明专利]光电子半导体元件无效
| 申请号： | 98803918.4 | 申请日： | 1998-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN1252169A | 公开（公告）日： | 2000-05-03 |
| 发明（设计）人： | G·兰德韦尔;M·凯姆;G·罗伊舍尔;T·利茨;T·巴隆;F·菲舍尔;H·J·卢高尔 | 申请（专利权）人： | 西门子公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01S5/32 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,张志醒 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 具有一光发射有源层序列的光电半导体元件,该层序列具有至少一个第一导电类型的难以掺杂的半导体层。在难以掺杂的半导体层和一个从属于此层的半导体本体的接触层之间设置一第一导电类型的第一高掺杂简并过渡层和一与第一导电类型相反的第二导电类型的第二高掺杂简并过渡层。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.光电子半导体元件，该元件具有一适用于产生电磁辐射的半导体本体(12)，在该本体中在半导体衬底(8)上设置一有源区(3)，在电流通过半导体本体(12)时在该有源区内产生电磁辐射，并且该有源区至少包含一个第一导电类型的难以掺杂的半导体层，尤其具有一种P型掺杂的ZnSe的II-VI半导体层，具有一种P型掺杂的GaN的III-V半导体层或具有一n型掺杂的CdTe的II-VI半导体层，其特征在于，作为电荷载流子源，在难以掺杂的半导体层和一个从属于此层的半导体本体的接触层(9)之间安置一反向极性的层序列，该层序列具有第一导电类型的第一高掺杂简并过渡层(6)和一个与第一导电类型相反的第二导电类型的第二高掺杂简并过渡层(7)，其中第一高掺杂简并过渡层(6)位于难以掺杂的半导体层和第二高掺杂简并过渡层(7)之间。
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